| 제목 | 산화물 반도체 소자의 제조 방법(Method of forming oxide semiconductor device) | ||
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| 출원번호 | 10-2015-0189828 | 출원일자 | 2015-12-30 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 안병두 | 김현재 | 탁영준 | 출원인 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명의 실시예는 산화물 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체 소자의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막에 자외선을 조사하면서 상기 기판을 가압 열처리하여 액티브층을 형성하는 단계; 및 상기 액티브층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함한다. | ||
