| 제목 | 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조방법(OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2017-0010386 | 출원일자 | 2017-01-23 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 김현재 | 나재원 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 박막트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 형성된 산화물 박막을 포함하고, 상기 산화물 박막은 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 서로 이격되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하며, 상기 게이트 절연층으로부터 확산된 도펀트에 의한 농도 프로파일을 포함하고, 상기 채널 영역은 상기 농도 프로파일에 의해 채널층으로 동작한다. | ||
