| 제목 | 전이금속 이황화몰리브덴 기반 광센서 소자 어레이 구조(TRANSITION METAL MOLYBDENUM DISULFIDE BASED PHOTOSENSOR ARRAY STRUCTURE) | ||
|---|---|---|---|
| 출원번호 | 10-2016-0053297 | 출원일자 | 2016-04-29 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 전상훈 | 출원인 | 고려대학교 세종산학협력단 |
| 기술 내용 | 전이금속 이황화몰리브덴 광센서 어레이 구조는, 순차적으로 선택되는 복수의 광센서 픽셀을 포함하며, 광센서 픽셀은, 제 1 박막 트랜지스터, 제 2 박막 트랜지스터, 차광부, 센서 소자 게이트 전압 공급부, 및 스위치 소자 게이트 전압 공급부를 포함한다. 스위치 소자 게이트 전압 공급부는 스위치 소자로 설정된 트랜지스터의 게이트 전극으로 미리 설정된 스위치 소자 게이트 전압을 공급하고, 센서 소자 게이트 전압 공급부는 입사되는 광에 의해 변화되는 드레인 전류의 크기가 스위치 소자 게이트 전압에서보다 큰 미리 설정된 센서 소자 게이트 전압을 센서 소자로 설정된 트랜지스터의 게이트 전극으로 공급한다. 이때, 센서 소자로 설정된 트랜지스터의 게이트 전극은 다음 순서로 선택되는 광센서 픽셀의 스위치 소자 게이트 전압 공급부와 연결된다. | ||
