| 제목 | 펩타이드 기반의 물질을 포함하는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법(FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING PEPRIDE BASED MATERIAL AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2016-0145324 | 출원일자 | 2016-11-02 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 권장연 | 남기태 | 이윤식 | 남궁석 | 성태훈 | 이재훈 | 김영오 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 | 서울대학교산학협력단 |
| 기술 내용 | 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법을 개시한다. 실시예에 따른 전계 효과 트랜지스터는 기판, 기판 상에 형성되고 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성되는 유전체층, 유전체층 상에 형성되는 소스 또는 드레인 전극 및 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성되고 반도체층을 포함하고, 상기 상기 게이트 전극, 상기 유전체층, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 반도체층 중 적어도 하나는 펩타이드 기반의 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다. | ||
