| 제목 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법(OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF) | ||
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| 출원번호 | 10-2016-0017800 | 출원일자 | 2016-02-16 |
| 등록번호 | 10-1802054 | 등록일자 | 2017-11-21 |
| 발명자 | 김현재 | 박성표 | 김홍재 | 탁영준 | 홍성환 | 김희준 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 산화물 박막 트랜지스터가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막 및 게이트 절연막 상에 형성된 산화물 반도체 박막을 포함하고, 산화물 반도체 박막은 과산화수소 용액에 침지(dipping)되어 산화 처리된 후방 채널 영역(back channel region)을 포함한다. | ||
