| 제목 | 산화물 반도체 제조 방법(METHOD OF MANUFACTURING OXIDE SEMICONDUCTOR) | ||
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| 출원번호 | 10-2010-0116897 | 출원일자 | 2010-11-23 |
| 등록번호 | 10-1801845 | 등록일자 | 2017-11-21 |
| 발명자 | 정연택 | 김보성 | 김영민 | 김현재 | 이두형 | 최태영 | 이기범 | 장선필 | 임유승 | 조강문 | 김동림 | 김시준 | 김두나 | 출원인 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체의 제조 방법은 주석 원소를 포함하는 제1 화합물을 제1 열처리하는 단계, 아연, 인듐, 갈륨, 탈륨, 지르코늄으로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 제2 화합물을 제2 열처리하는 단계, 무수화 처리된 제1 화합물 및 제2 화합물을 혼합한 후 유기 용매를 혼합하여 전구체 용액을 제조하는 단계, 전구체 용액을 기판에 도포하여 전구체층을 형성하는 단계, 전구체층을 제3 열처리하여 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함하고, 제1 열처리는 100℃ 이상 제1 화합물의 용융점 이하의 온도에서 진행하고, 제2 열처리는 100℃이상 제2 화합물의 용융점 이하의 온도에서 진행한다. | ||
