| 제목 | 이종 증착 방법으로 형성된 고체 전해질 기반 원자 스위치 소자(Atomic switch device on the basis of solid electrolyte by hybrid deposition method) | ||
|---|---|---|---|
| 출원번호 | 10-2016-0079433 | 출원일자 | 2016-06-24 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 전상훈 | 우현석 | 출원인 | 고려대학교 세종산학협력단 |
| 기술 내용 | 이종 증착방법으로 형성된 고체전해질 기반 원자 스위치 소자는 활성 전극, 비활성 전극, 및 활성 전극과 비활성 전극 사이의 고체 전해질층을 포함하는 원자 스위치 소자로서, 고체 전해질층은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition: ALD)에 형성된 ALD 고체 전해질층, 및 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)에 의해 형성된 CVD 고체 전해질층을 포함한다. 고체 전해질층을 원자층 증착법과 화학 기상 증착법의 서로 다른 증착법에 의해 각각 형성된 층의 조합으로 형성함으로써, 활성 전극 물질의 고체 전해질층으로의 확산을 제어함으로써, 리셋(Reset)을 이루기 위한 전력(Power) 소모를 줄이고, 소자의 고온 신뢰성과 쓰기/지우기 반복횟수 (Endurance) 특성을 개선할 수 있게 된다. | ||
