| 제목 | 란타나이드 금속 버퍼층 기반 원자 스위치 소자(Lanthanide metal buffer layer based atomic switch device) | ||
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| 출원번호 | 10-2016-0079427 | 출원일자 | 2016-06-24 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 전상훈 | 고영인 | 출원인 | 고려대학교 세종산학협력단 |
| 기술 내용 | 란타나이드 금속 버퍼층 기반 원자 스위치 소자는 활성 전극, 비활성 전극, 및 활성 전극과 비활성 전극 사이의 고체 전해질층을 포함하는 비휘발성 소자로서, 활성 전극과 고체 전해질층 사이에 형성된 란타나이드 금속의 버퍼층을 더 포함한다. 활성 전극과 고체 전해질층 사이에 란타나이드 금속의 버퍼층을 형성함으로써, 활성 전극 물질의 고체 전해질층으로의 확산을 제어하여 리셋(Reset)을 이루기 위한 전력(Power) 소모를 줄이고, 소자의 고온 신뢰성과 쓰기/지우기 반복횟수 (Endurance) 특성을 개선할 수 있게 된다. | ||
