| 제목 | 박막 트랜지스터 구조를 포함하는 강유전체 기반 센서(FERROELECTRIC BASED SENSOR DEVICE COMPRISING THIN FILM TRASISTOR STRUCTURE) | ||
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| 출원번호 | 10-2016-0081793 | 출원일자 | 2016-06-29 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 전상훈 | 김태호 | 출원인 | 고려대학교 세종산학협력단 |
| 기술 내용 | 트랜지스터 구조를 포함하는 강유전체 기반 센서 소자는, 트랜지스터부, 커패시터부를 포함한다. 트랜지스터부는 기판상에 형성된 게이트, 게이트 상에 형성된 게이트 절연층, 게이트 절연층 상에 형성된 반도체층, 및 반도체층 상에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 센서 트랜지스터를 포함하며, 커패시트부는 기판상에 형성되는 하부 전극, 하부 전극상에 형성된 강유전체층, 및 강유전체층상에 형성된 상부 전극을 포함하는 커패시터를 포함한다. 이때, 게이트는 하부 전극 또는 상부 전극에 연결되며, 기판으로부터 소스 및 드레인까지의 높이는 기판으로부터 상부 전극의 높이보다 작다. | ||
