| 제목 | 반도체 소자 및 그 제조 방법(Semiconductor device and method of fabricating the same) | ||
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| 출원번호 | 10-2015-0189263 | 출원일자 | 2015-12-30 |
| 등록번호 | 10-1819214 | 등록일자 | 2018-01-10 |
| 발명자 | 박상희 | 강일석 | 문금비 | 박경우 | 김유진 | 고종범 | 출원인 | 한국과학기술원 |
| 기술 내용 | 본 발명은 수소가 채널 내로 확산되는 정도를 최소화하기 위하여, 배리어층이 코팅된 기판; 상기 기판 상의 활성층; 상기 활성층 상의 게이트 절연막 패턴; 상기 게이트 절연막 패턴 상의 게이트 전극; 상기 게이트 패턴, 상기 활성층 상에 형성된 수소 제공층; 상기 수소 제공층을 모두 덮도록 형성된 수소 유입 방지막; 및 상기 수소 유입 방지막 상의 층간절연막, 소스/드레인 전극 그리고 소자 패시베이션막을 구비하는, 반도체 소자를 제공한다. | ||
