| 제목 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM TRANSISTOR and METHOD FOR MANUFACTURING OF THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2016-0012152 | 출원일자 | 2016-02-01 |
| 등록번호 | 10-1829970 | 등록일자 | 2018-02-09 |
| 발명자 | 김현재 | 박정우 | 탁영준 | 정태수 | 이희수 | 김원기 | 정주성 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층, 반도체 활성층으로서 산화물 반도체층, 및 상기 산화물 반도체층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 산화물 반도체층은 300℃ 미만의 열 및 인가되는 자기장의 자기 선속의 변화로부터 활성화 되고, 상기 활성화는 상기 자기 선속의 변화로부터 상기 산화물 반도체층 내에 발생한 맴돌이 전류로부터 생성되는 줄열과, 상기 300℃ 미만의 열로부터 활성화 에너지를 공급받아 수행된다. | ||
