| 제목 | 주석 산화물 반도체용 조성물 및 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법(Composition for tin oxide semiconductor and method for formation of tin oxide semiconductor thin film) | ||
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| 출원번호 | 10-2013-0079897 | 출원일자 | 2013-07-08 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 최천기 | 모연곤 | 김현재 | 임현수 | 김시준 | 정태수 | 임유승 | 출원인 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명의 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물 및 용매를 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물을 제공한다. 본 발명의 다른 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물을 용매에 녹인 조성물을 제조하는 단계; 상기 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 조성물이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다. | ||
