| 제목 | 액상제조 공정을 이용한 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 및 전극 형성방법(METHOD OF MANUFACTURING GATE INSULATOR AND GATE ELECTRODE OF THIN FILM TRANSISTOR USING SOLUTION PROCESS) | ||
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| 출원번호 | 10-2009-0009902 | 출원일자 | 2009-02-06 |
| 등록번호 | 10-1495921 | 등록일자 | 2015-02-16 |
| 발명자 | 김현재 | 김시준 | 김동림 | 김두나 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 액상제조 공정을 이용한 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 및 전극 형성방법에 관한 것으로, 기판 상에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 기판 상에 활성층을 형성한 후, 상기 활성층 상에 액상제조 공정을 이용하여 폴리실란 박막을 형성하는 단계와, 상기 폴리실란 박막 상에 게이트 금속층을 형성하는 단계와, 상기 기판의 하측에서 자외선을 조사하여 상기 소오스 및 드레인 전극 사이 영역에 형성된 폴리실란 박막을 게이트 절연막으로 변환시키는 단계와, 열처리 공정을 통해 상기 변환된 게이트 절연막을 제외한 폴리실란 박막을 제거함과 동시에 상기 소오스 및 드레인 전극에 의한 자기 정렬(self-align) 효과에 의해 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써, 별도의 마스크가 필요 없이 게이트 전극을 형성할 수 있으며, 단순한 제작 공정과 저비용으로 반도체 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다. | ||
