| 제목 | 레이저 간섭 리소그래피를 이용한 나노 화소 유기발광다이오드 어레이 제조방법(Fabrication of nanopixel organic light emitting diode array using laser interference lithography) | ||
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| 출원번호 | 10-2014-0034188 | 출원일자 | 2014-03-24 |
| 등록번호 | 10-1499122 | 등록일자 | 2015-02-27 |
| 발명자 | 주병권 | 황보연 | 하현준 | 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명에 따른 나노화소 유기발광다이오드 어레이의 제조 방법은, (a) 기판 위에 애노드를 형성하는 단계; (b) 상기 애노드 위에 화소형성층(pixel defining layer: PDL)을 형성하는 단계; (c) 상기 화소형성층 위에 감광층을 형성하는 단계; (d) 상기 감광층에 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 주기적인 구조의 나노홀 어레이를 가지는 감광층 패턴을 형성하는 단계; (e) 상기 감광층 패턴을 통해 상기 화소형성층을 식각하여 나노홀 어레이 패턴을 가지는 나노화소형성층을 형성하는 단계; (f) 상기 감광층 패턴을 상기 나노화소형성층으로부터 제거하는 단계; (g) 상기 나노화소형성층에 유기물질층을 형성하는 단계; 및 (h) 상기 유기물질층 위에 캐소드를 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 나노 화소 유기발광다이오드의 제조 공정을 고속화 및 간편화할 수 있다. | ||
