| 제목 | 적층 구조를 갖는 저항 스위칭 메모리 및 그 제조 방법(RESISTIVE RANDOM ACCESS MOMORY COMPRISING MULTI STACKED STRUCTURE, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2014-0120810 | 출원일자 | 2014-09-12 |
| 등록번호 | 10-1512728 | 등록일자 | 2015-04-10 |
| 발명자 | 김현재 | 박성표 | 윤두현 | 탁영준 | 이희수 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 적층 구조의 메모리층을 갖는 저항 스위칭 메모리 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 저항 스위칭 메모리는, 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 메모리층; 및 상기 메모리층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하며, 상기 메모리층은 제 1 메모리층 및 제 2 메모리층을 포함하고, 상기 제 1 메모리층과 상기 제 2 메모리층의 산소 함량이 서로 다를 수 있다. | ||
