| 제목 | 패시베이션층 조성물, 패시베이션 방법, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법(PASSIVATION COMPOSITE, PASSIVATION METHOD, THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR) | ||
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| 출원번호 | 10-2013-0122872 | 출원일자 | 2013-10-15 |
| 등록번호 | 10-1512726 | 등록일자 | 2015-04-10 |
| 발명자 | 김현재 | 최의현 | 윤두현 | 윤석현 | 탁영준 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 패시베이션층 조성물, 패시베이션 방법, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 패시베이션층 조성물은, 이트륨; 및 패시베이션층을 도핑하기 위한 1가, 2가, 3가 또는 4가의 금속;을 포함할 수 있다. | ||
