| 제목 | 산화물 반도체 소자의 제조 방법 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법(METHOD OF FORMING AN OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY DEVICE INCLUDING AN OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE) | ||
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| 출원번호 | 10-2013-0138985 | 출원일자 | 2013-11-15 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 김연홍 | 안병두 | 김현식 | 모연곤 | 임지훈 | 김현재 | 출원인 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 산화물 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 기판의 제1 면 상에 게이트 전극을 형성한 후 기판의 제1 면 상에 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성할 수 있다. 게이트 절연막 상에 액티브 패턴을 형성한 후 액티브 패턴 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 수 있다. 적어도 기판의 제1 면 및 기판의 제1 면에 대향하는 제2 면 중의 하나에 대해 자외선 조사 공정을 수행하면서, 동시에 적어도 기판의 제1 면 및 제2 면 중 하나에 대해 열처리 공정을 수행할 수 있다. | ||
