| 제목 | 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드(LED manufacturing method using nanostructures transcription and the LED) | ||
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| 출원번호 | 10-2014-0015396 | 출원일자 | 2014-02-11 |
| 등록번호 | 10-1535852 | 등록일자 | 2015-07-06 |
| 발명자 | 유철종 | 이종람 | 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구 모양의 나노구조체 전사를 통해 넓은 면적에 균일하게 나노구조체를 코팅하고 이를 통해 광추출 효율이 극대화된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 광추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층이 형성된 발광다이오드 제조방법에 있어서, 제1기판 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계와, 상기 나노구조체가 코팅된 제1기판에서 제2기판으로 나노구조체를 전사하는 단계와, 상기 제2기판에 전사된 나노구조체를 제2반도체층에 전사하는 단계, 및 상기 제2반도체층에 전사된 나노구조체를 마스크로 이용하여 제2반도체층을 건식 에칭하여 요철부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다. | ||
