| 제목 | 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치(THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE THIN-FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2009-0012691 | 출원일자 | 2009-02-17 |
| 등록번호 | 10-1544055 | 등록일자 | 2015-08-06 |
| 발명자 | 황태형 | 김현재 | 김도경 | 정웅희 | 출원인 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치에서, 박막 트랜지스터는 베이스 기판, 게이트 전극, 게이트 절연막, 다결정 실리콘층, 촉매층, 오믹 콘택층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 다결정 실리콘층은 촉매층을 통과한 방사열에 의해서 촉매층의 하부영역이 결정화되고, 따라서 마스크를 사용하지 않고도 미세패턴의 결정화가 가능하여 비용을 절감할 수 있다. | ||
