| 제목 | 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법(Method for formation of tin oxide semiconductor thin film) | ||
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| 출원번호 | 10-2013-0103425 | 출원일자 | 2013-08-29 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 최천기 | 모연곤 | 김현재 | 임현수 | 김시준 | 정태수 | 임유승 | 출원인 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 일 측면에 따라 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다. 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법은 주석 산화물 반도체의 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함한다. 이때 형성하고자 하는 상기 주석 산화물 반도체의 반도체 유형(semiconductor type)에 따라 상기 전구체 용액에 다른 주석 원자가를 갖는 주석 화합물을 사용할 수 있다. | ||
