| 기술 내용 |
본 발명은 셀 스트링에서의 읽기 방법에 관한 것이다. 상기 읽기 방법은 선택된 워드라인 셀(WL[k])을 읽기 위하여 초기 충전 단계 및 읽기 단계를 구비한다.상기 초기 충전 단계는, 선택된 워드라인 셀(WL[k]) 및 선택된 워드라인 셀(WL[k])의 상위 워드라인 셀들(Upper WLs), 선택된 워드라인 셀(WL[k])의 인접한 하위 워드라인 셀(WL[k-1])에 양의 패스 전압(Vpass1)을 인가하고, WL[k-1]을 제외한 하위 워드라인 셀들(Lower WLs)에 음의 패스 전압(Vpass2)을 인가하여, 비트라인 및 CSL로부터 각각 전자와 정공을 채널에 공급한다. 상기 읽기 단계는 선택된 워드라인 (WL[k])에 읽기 전압(Vverify)보다 크기가 작은 전압을 인가하는 단계, CSL에 전압을 인가하고, 선택되지 않은 비트라인에 상기 CSL에 인가된 전압을 인가하는 단계, 상기 선택된 워드 라인 (WL[k])에 읽기 전압(Vverify)을 인가하는 단계, 선택된 비트라인들의 전압 또는 전류를 센싱하여 선택된 워드라인(WL[k]) 셀에 저장된 정보를 읽는 단계를 구비한다. 본 발명은 positive feedback을 통해 아주 가파른(steep) 스위칭 특성을 갖는 읽기 방법을 제공하게 된다.
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