| 제목 | 산화물 박막 후처리 방법, 및 그를 이용한 반도체 소자 제조 방법(METHOD FOR POST-TREATING OXIDE THIN FILM, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2014-0071592 | 출원일자 | 2014-06-12 |
| 등록번호 | 10-1561924 | 등록일자 | 2015-10-14 |
| 발명자 | 김현재 | 탁영준 | 윤두현 | 박성표 | 이희수 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 산화물 박막 후처리 방법, 및 그를 이용한 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 후처리 방법은, 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계; 및 상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하되, 상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 상기 제 1 가스를 구성하는 물질보다 확산 활성화 에너지(diffusion activation energy)가 높을 수 있다. | ||
