| 제목 | 산화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법(OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2014-0168445 | 출원일자 | 2014-11-28 |
| 등록번호 | 10-1562932 | 등록일자 | 2015-10-19 |
| 발명자 | 김현재 | 김영규 | 박지훈 | 윤석현 | 홍성환 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 산화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 산화물 반도체 소자는, 기판; 상기 기판상의 산화물 반도체층;을 포함하고, 상기 산화물 반도체층은 두께 방향으로 산소 공공(oxygen vacancy)의 농도가 상이할 수 있다. | ||
