| 제목 | 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE FOR EMITTING LIGHT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2011-0045436 | 출원일자 | 2011-05-14 |
| 등록번호 | 10-1568808 | 등록일자 | 2015-11-06 |
| 발명자 | 이종람 | 김범준 | 손준호 | 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 | 서울바이오시스 주식회사 |
| 기술 내용 | 본 발명은 발광 구조를 갖는 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 나노 도트층, 접촉층, 확산 방지층 및 캡핑층을 구비하는 오믹 전극을 포함하고, 상기 나노 도트층은 상기 반도체층의 질소 극성면 상에 형성되고, Ag, Al, Au 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같은 반도체 발광 소자에서 나노 도트층/접촉층/확산 방지층/캡핑층을 포함하는 다층 구조의 오믹 전극은 나노 도트층이 질화물 반도체의 질소 극성면으로 전하 주입 특성을 향상시켜 우수한 오믹 특성을 얻을 수 있으며, 접촉층이 확산 장벽층으로 작용하여 질소 분위기 열처리 및 고온, 고전류 주입 조건에서 발생하는 열에 의한 열화을 억제하기 때문에 열적 안정성이 우수하다. | ||
