| 제목 | 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE FOR EMITTING LIGHT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2011-0045435 | 출원일자 | 2011-05-14 |
| 등록번호 | 10-1568809 | 등록일자 | 2015-11-06 |
| 발명자 | 이종람 | 송양희 | 손준호 | 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 | 서울바이오시스 주식회사 |
| 기술 내용 | 본 발명은 발광 구조를 갖는 반도체층과, 상기 반도체층 상에 형성된 나노 도트층, 접촉층, 반사층, 확산 방지층 및 캡핑층을 구비하는 오믹 전극을 포함하고, 상기 나노 도트층은 상기 반도체층의 질소 극성면 상에 형성되고, Ag, Al, Au 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같은 반도체 발광 소자에서 나노 도트층/접촉층/반사층/확산 방지층/캡핑층을 포함하는 다층 구조의 오믹 전극은 질화물 반도체의 질소 극성면에 형성되고, 추가적인 열처리 공정을 거치지 않았음에도 불구하고, 낮은 오믹 저항 및 높은 광 반사도를 유지할 수 있다. | ||
