| 기술 내용 |
본 발명은 프로세스 챔버의 오염 방지 장치 및 이를 이용한 프로세스 챔버의 오염 방지 방법으로서, 플라즈마 처리 장치의 프로세스 챔버에 배치되되, 금속 또는 유전체 물질로 형성되고, 내부가 관통되어 공간이 형성된 실드 바디와; 유전체 물질로 형성되고, 상기 실드 바디의 상부에 안착되는 실드 라이너를 포함하는 클리닝 실드를 포함하며, 상기 실드 바디에 상기 실드 라이너가 안착되어 형성되는 상기 클리닝 실드의 내부 공간은 상기 프로세스 챔버에 인입된 기판이 위치되는 공간과 상기 기판의 상부에 형성되는 플라즈마 유효 공간을 포함하여, 상기 클리닝 실드가 기판의 플라즈마 공정 수행에 따른 상기 프로세스 챔버의 오염을 방지하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버의 오염 방지 장치와 이를 이용하여 프로세스 챔버의 오염을 방지하는 방법이며, 이와 같은 본 발명에 의하면 플라즈마 처리 장치의 기판 처리 공정의 중단 없이 프로세스 챔버의 오염을 제거하는 방안을 도입하여 플라즈마 처리 장치의 제품 양산 능력을 더욱 높이면서 전체적인 비용을 절감시킬 수 있게 된다.
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