| 기술 내용 |
본 발명은 다중 주파수 플라즈마 장치에서 기상 미립자 발생 및 제어를 위한 반도체 공정 제어 방법으로서, 다중 주파수 플라즈마 장치를 이용한 반도체 공정에 있어서, 반도체 공정 중 인가된 복수의 RF에 대한 파워를 변화시키는 RF 변화 구간을 파악하는 RF 변화 구간 파악 단계; 및 상기 RF 변화 구간에서 상기 복수의 RF에 대한 순서를 설정하고 상기 순서에 따라 상기 복수의 RF의 파워를 개별적으로 조절하여 플라즈마 내의 이온 유인력을 조절함으로써 미립자 구름의 쉬쓰(Sheath) 경계면의 침투를 제어하는 RF 파워 조절 단계를 포함하며, 이와 같은 본 발명에 의하면 다중 주파수 플라즈마 장치를 이용한 공정에서 RF가 급격히 변화하는 순간에 RF 제어를 통한 주파수와 파워의 변화에 따른 미립자의 행동 양식 특성을 활용하여 기상 미립자 구름의 위치를 기판으로부터 멀리 이동시키도록 제어할 수 있으며, 이를 통해 공정 중 발생되는 기상 미립자로 인한 기판 오염과 공정의 악영향을 제거 또는 최소화시킬 수 있게 된다.
|
