| 제목 | 화합물 반도체 소자, 및 이를 제조하기 위한 웨이퍼 본딩 방법(COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND WAFER BONDING METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2014-0101226 | 출원일자 | 2014-08-06 |
| 등록번호 | 10-1615341 | 등록일자 | 2016-04-19 |
| 발명자 | 이종람 | 송양희 | 김경준 | 출원인 | 주식회사 포스코 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 화합물 반도체 소자, 및 이를 제조하기 위한 웨이퍼 본딩 방법에 관한 것으로, 구체적으로는, 질화갈륨계 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 제 1 전도성 확산 방지층; 상기 제 1 전도성 확산 방지층 상에 형성된 금속 접합층; 상기 금속 접합층 상에 형성된 제 2 전도성 확산 방지층; 및 상기 제 2 전도성 확산 방지층 상에 위치하고, 니켈을 함유하는 강철 기판;을 포함하는 화합물 반도체 소자를 제공하는 한편, 상기 제 2 전도성 확산 방지층에 의해, 상기 니켈을 함유하는 강철 기판 및 상기 금속 접합층 내 원소들의 확산 및/또는 상기 니켈을 함유하는 강철 기판 및 상기 금속 접합층 사이의 반응이 제어되는 것인 웨이퍼 본딩 방법을 제공할 수 있다. | ||
