| 기술 내용 |
본 발명은 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 기판 위에 게이트 전극과 상기 게이트 전극 위에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계; 챔버 내에, 상기 제1 게이트 절연막이 형성된 기판을 배치하는 단계; 상기 챔버 내에, 가스 공급구를 통해 플라즈마 생성을 위한 불활성 가스 및 수소 플라즈마 발생을 위한 수소 가스를 공급하는 단계; 상기 챔버에서 생성된 수소 플라즈마 이온이 리플렉터와 충돌하여 수소 중성입자로 변환되는 단계; 상기 수소 중성입자가 상기 제1 게이트 절연막에 조사되어 모바일 프로톤이 형성되는 단계; 및 상기 모바일 프로톤이 형성된 상기 제1 게이트 절연막 위에 제2 게이트 절연막을 증착하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 기존의 장시간(수십분 이상) 및 고온(600℃ 이상)의 수소 열처리 공정 대신, 중성입자빔 발생 장치를 이용하여 비교적 저온(20℃ 이상 300℃ 이하)에서 단시간(10분) 내에 모바일 프로톤을 형성하여 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터를 제조하기 때문에, 유리 기판이나 플라스틱 필름과 같은 기판을 박막형 트랜지스터 제조에 이용할 수 없어 제품적용에 제약이 존재하였던 문제를 해결해 준다.
|
