| 기술 내용 |
본 발명은 리소그래피 공정과 레이저를 이용하여 질화물 반도체 표면에 패턴을 형성시키는 방법에 관한 것으로, 레이저가 입사되는 질화물 반도체 표면에 금속, 산화물 또는 폴리머 패턴을 포토리소그래피 (Photolithography), 레이저 간섭현상 리소그래피 (Laser Interference Lithography), 나노임프린트 또는 나노스피어 리소그래피 (Nanosphere Lithography) 등의 방법으로 패턴을 형성시키는 것이며, 질화물 반도체 표면에 형성된 패턴에 의해 질화물 반도체에 조사되어 흡수되는 레이저의 에너지에 차이를 주어 표면 패턴을 형성하는 것이다. 이에 패턴이 없어 노출된 영역에서의 질화물 반도체가 레이저를 흡수하여 반응하여 패턴이 전사되며, 반면 패턴이 있는 영역의 질화물 반도체에서는 적은 에너지의 레이저가 흡수되거나, 조사되지 못하여 반응하는 질화물 반도체의 양에 차이가 생김으로써 질화물 반도체 표면에 패턴을 형성하는 것이다. 이로써 본 발명은 대면적 적용이 가능한 레이저 사용 공정과 리소그래피 방법으로 질화물 반도체 상에 균일하게 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것이며, 반도체 공정 일부로 편입될 수 있어 반도체 공정과의 연계성을 높일 수 있는 표면 패턴형성 방법을 제공할 수 있다.
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