| 제목 | 전하 패터닝을 이용한 질화갈륨계 반도체의 나노 구조 형성방법(METHOD FOR PRODUCING NANO-STRUCTURE OF GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR USING CHARGE PATTERNING) | ||
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| 출원번호 | 10-2015-0055497 | 출원일자 | 2015-04-20 |
| 등록번호 | 10-1660637 | 등록일자 | 2016-09-21 |
| 발명자 | 조형원 | 유철종 | 이종람 | 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 전하를 띤 물질의 패터닝을 이용하여 질화갈륨의 표면에 규칙적인 나노 구조를 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은, 질화갈륨계 반도체 표면에 전하를 띤 물질의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 전하를 띤 물질의 패턴이 형성된 질화갈륨계 반도체 표면을 광화학적 에칭법을 사용하여 에칭하는 단계를 포함한다. | ||
