| 제목 | 비휘발성 메모리 소자 및 이의 구동 방법(Non-volatile memory device and method of driving the same) | ||
|---|---|---|---|
| 출원번호 | 10-2015-0032112 | 출원일자 | 2015-03-07 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 이종호 | 강호중 | 최낙용 | 한병일 | 박경진 | 정성용 | 출원인 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 서울대학교산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 이의 구동 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자는, 복수의 메모리 셀들로서, 각 메모리 셀이 채널층, 제 1 절연막을 사이에 두고 상기 채널층 상에 배치되는 전하 트랩 저장막, 및 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 전하 트랩 저장막 상에 배치되는 제어 전극을 포함하며, 상기 전하 트랩 저장막은 상기 복수의 메모리 셀들로 확장되고 상기 제어 전극 하부에 각각 배치되는 프로그램 영역 및 상기 제어 전극과 상기 제어 전극에 인접하는 다른 제어 전극 사이에서 상기 프로그램 영역에 이웃하는 전하 확산 방지 영역을 포함하는 복수의 메모리 셀들; 및 상기 프로그램 영역에 저장된 프로그램 전하와 동일한 극성의 전하로 상기 전하 확산 방지 영역을 하전시켜 상기 전하 확산 방지 영역에 전위 장벽을 형성하는 제어 회로를 포함한다. | ||
