| 제목 | 고신뢰성 금속 산화물 반도체 물질을 포함하는 박막 트랜지스터 기판(Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material) | ||
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| 출원번호 | 10-2015-0071966 | 출원일자 | 2015-05-22 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 권장연 | 박경 | 배종욱 | 백주혁 | 출원인 | 엘지디스플레이 주식회사 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 고신뢰성 금속 산화물 반도체 물질을 포함하는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 기판은, 기판, 게이트 전극, 반도체 층, 소스 전극, 드레인 전극, 보호막 그리고 화소 전극을 포함한다. 게이트 전극은, 기판 위에 배치된다. 반도체 층은, 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극과 중첩하는 채널 영역, 채널 영역의 일측변으로 연장된 소스 영역 및 채널 영역의 타측변으로 연장된 드레인 영역을 포함한다. 반도체 층은, 인듐, 갈륨 및 주석 중 적어도 어느 하나와, 산소 및 도핑 물질이 결합된 산화물 반도체 물질을 포함한다. 소스 전극은, 소스 영역과 접촉한다. 드레인 전극은, 드레인 영역과 접촉한다. 보호막은, 소스 전극 및 드레인 전극을 덮는다. 화소 전극은, 보호막 위에서 드레인 전극과 접촉한다. | ||
