| 기술 내용 |
본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 p형 오믹 전극층; 상기 전극층 상부에 형성된 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 상기 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 n형 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 오믹 전극층으로 구성되며, 상기 p형 오믹 전극층은 Ag를 기반으로 반사도가 70% 이상인 고반사 전극을 포함한 것이고 상기 n형 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체층은 준광결정과 표면 조화를 이용하여 표면 변환이 이루어진 층을 포함한 것이다. 본 발명은 고반사 p형 전극, 준광결정 및 표면 조화가 함께 결합되어 질화갈륨계 수직 발광다이오드 제조 공정에 적용한 경우, 그렇지 않은 경우에 비하여 발광다이오드의 표면 광출력이 9배 이상 증가한다는 것을 특징으로 한다.
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