| 제목 | 재구성 가능한 신경모방 소자 및 어레이(Reconfigurable devices, device array for neuromorphic) | ||
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| 출원번호 | 10-2016-0149727 | 출원일자 | 2016-11-10 |
| 등록번호 | 등록일자 | 0000-00-00 | |
| 발명자 | 이종호 | 김철흥 | 우성윤 | 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 재구성 가능한 시냅스 모방 소자에 관한 것이다. 상기 재구성 가능한 시냅스 모방 소자는, 기판위에 전기적으로 격리되어 형성된 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 하부전극, 하부 전극들의 표면에 적어도 형성된 하부 절연막 스택, 하부 절연막 스택 위에 형성된 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 반도체 영역, 상기 반도체 영역위에 형성된 상부 절연막 스택, 상부 절연막 스택 위에 형성된 상부 전극(Top Gate)을 구비한다. 본 발명에 따른 재구성 가능한 시냅스 모방 소자는 제2 및 제4 하부전극과 이들 전극의 표면에 형성된 전하 저장층을 포함하는 하부 절연막 스택을 이용하여 특정 재구성 가능한 시냅스 모방 소자를 임의로 억제 또는 흥분 기능을 갖도록 재구성 할 수 있고 제1, 제3 및 제 5 하부전극과 이들 전극의 표면에 형성된 전하 저장층을 포함하는 하부 절연막 스택을 이용하여 nMOSFET 또는 pMOSFET 동작을 선택적 가능한 소자를 제공한다. | ||
