| 제목 | 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조방법(OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME) | ||
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| 출원번호 | 10-2016-0120531 | 출원일자 | 2016-09-21 |
| 등록번호 | 10-1856858 | 등록일자 | 2018-05-03 |
| 발명자 | 김현재 | 신관엽 | 탁영준 | 김원기 | 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 기술 내용 | 본 발명은 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 박막트랜지스터는 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층의 양 단부에 각각 형성된 소스/드레인 전극; 및 상기 활성층 상에 형성된 패시베이션(passivation)층을 포함하고, 상기 패시베이션층은 콜로디온(collodion)막을 포함한다. | ||
